GaN MMIC - Thiết bị công suất tần số vô tuyến mới phục vụ 5G

Các vi mạch tích hợp vi sóng đơn khối (Monolithic Microwave Integrated Circuits - MMIC) và các thiết bị rời mới đảm bảo các cấp độ hiệu năng cần thiết trong các ứng dụng 5G, liên lạc vệ tinh và quốc phòng.

Các sản phẩm này bao gồm GaN MMIC có tần số từ 2 đến 18 GHz, 12 đến 20 GHz và 12 đến 20 GHz với công suất đầu ra RF ở mức suy hao 3 dB (P₃dB) lên tới 20 W và hiệu suất đạt tới 25%, cùng với các bộ khuếch đại GaN MMIC đế trần và đóng gói dành cho các băng tần S- và X với PAE lên tới 60%, cùng transistor di động rời có mật độ electron cao (HEMT) trong dải băng tần từ DC đến 14 GHz với công suất đầu ra P₃dB RF lên tới 100W và hiệu suất tối đa 70%.

XEM THÊM: Microchip tung bản cập nhật bảo mật quan trọng tăng cường bảo vệ Hệ thống vệ tinh định vị toàn cầu

Theo ông Leon Gross, Phó chủ tịch phụ trách bộ phận kinh doanh sản phẩm rời của Microchip, “Microchip tiếp tục đầu tư vào dòng sản phẩm GaN RF để hỗ trợ các ứng dụng ở mọi tần số, từ vi sóng đến bước sóng milimet và danh mục sản phẩm của chúng tôi bao gồm hơn 50 thiết bị, từ mức công suất thấp đến 2,2 kW. Cùng với nhau, các sản phẩm được công bố ngày hôm nay bao trùm dải tần số từ 2 đến 20 GHz và được thiết kế để vượt qua các thách thức về độ tuyến tính và hiệu suất mà các kỹ thuật điều chế bậc cao được sử dụng trong các mạng 5G và các mạng không dây đòi hỏi, cũng như đáp ứng các nhu cầu đặc thù trong các ứng dụng quốc phòng và truyền thông vệ tinh.”

Giải pháp thiết bị công suất tần số vô tuyến (RF) Gallium Nitride (GaN) được mở rộng bằng các vi mạch MMIC và transitor rời mới trong các băng tần số lên tới 20 gigahertz (GHz). Các thiết bị này kết hợp giữa hiệu suất nguồn cao hơn (power-added efficiency - PAE) và độ tuyến tính cao để mang lại các cấp độ mới về hiệu suất trong các ứng dụng từ các hệ thống 5G đến tác chiến điện tử, liên lạc vệ tinh, radar thương mại và quốc phòng cũng như các thiết bị đo kiểm.

Vi mạch tích hợp vi sóng đơn khối (Monolithic Microwave Integrated Circuits - MMIC) của Microchip

Giống như tất cả các sản phẩm công suất RF GaN của Microchip, các thiết bị này được chế tạo bằng công nghệ các-bua-si-líc GaN-on-silicon với sự kết hợp tối ưu giữa mật độ và năng suất công suất lớn, cũng như hoạt động ở điện áp cao và tuổi thọ tới hơn 1 triệu giờ ở vùng nhiệt độ tiếp giáp 255^oC.

Danh mục sản phẩm bán dẫn RF của Microchip, ngoài các thiết bị GaN còn bao gồm từ các bộ khuếch đại và mô-đun RF gali arsenide (GaAs) đến bộ khuếch đại tạp âm thấp, mô-đun đầu cuối (RFFE), varactor, Schottky và điốt PIN, chuyển mạch RF và bộ suy hao biến điện áp. Ngoài ra, công ty còn cung cấp cảm biến sóng âm bề mặt (SAW) hiệu suất cao và bộ dao động hệ thống vi cơ điện tử (MEMS), các mô-đun có độ tích hợp cao kết hợp bộ vi điều khiển (MCU) với bộ thu phát RF (Wi-Fi® MCU) với khả năng hỗ trợ các giao thức truyền thông không dây tầm ngắn chính, từ Bluetooth® và Wi-Fi đến LoRa®.

Theo Tạp chí Điện tử